原厂国家: 德国 制程应用: LED在线实时GaAs, InP, GaN 磊晶温度,长 晶速率量测监控。
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1. 在磊晶过程中进行LED磊芯片的及时监控: > 发散率(emission)及反射率(reflectance) > 磊晶速率计算(growth rate) > 磊芯片之实际温度(wafer true temperature) 2. 独家双波长量测技术 (950nm+633nm/405nm)。 3. 光纤讯号传送,准确快速。 4. 应用于GaN、GaAs、InP之监控。 5. 模块化设计,体积轻巧。 6. 方便快速的磊晶速率分析软件。 7. 备有可套用于MOCVD and MBE之沟通软件