Compound SemiconductorLehighton
1. 无需与待测物接触即能量测片电阻值,不会造成因接触所产生的产品损坏。
2. 阻值量测范围广:0.035~3000 Ohm/Square 或更广。
3. 适用范围 2"~8" wafers 以及 Flat Panel。
4. 针对不同客户需求提供手动或自动机台。
5. 提共阻值mapping, 最高可以量测至300 点。
6. 2D 等高线图 or 3D mapping。
7. 自动温度飘移补偿。
8. 软件自动更正功能, 可以追溯到 VLSI 标准。
9. 可以量得以下Wafer 之片电阻值:
• GaAs wafers (epi, annealed ion-implants on semi-insulating and some doped* substrates)
• Silicon wafers (bulk Si, epi, annealed ion-implants, and POCl3 doping uniformity on high resistivity substrates)
• 金属化合物之薄膜