1. 非接触性以及非破坏性之量测系统
> 载子迁移率
> 载子密度
> 载子浓度
> 片电阻值
2. 量测样本尺寸: 最小需大于 40mm2, 最大可以量测 6"" wafer。
3. 适用Wafer 包括: GaAs, GaN, SiGe, InP, Si, etc.
4. 针对不同客户需求提供手动或自动机台。
5. 可以排除 DC Hall 之费时耗资得测试, 如:
> 无须裁切 wafer 去特别制作测试样本
> 无须做连接导线
6. 可在室温下进行量测。
7. 对于难以检测的GaN Wafers 可以得到可重现的量测数据。
